Freiberg EFRE

Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.

Entwicklung groflächiger Galliumnitrid-Substrate für vertikale GaN-Transistoren (EleGaNT)

Steckbrief:

Name des Vorhabens:
Entwicklung großflächiger Galliumnitrid-Substrate für vertikale GaN-Transistoren (EleGaNT)
Zeitraum:
01.08.2015 – 07.01.2019
Förderfähige Gesamtkosten:
920.646 €
Ort:
Freiberg
Interventions­kategorie:
Technologietransfer und Zusammenarbeit zwischen Hochschulen und Unternehmen, vor allem zugunsten von KMU
Förderrichtlinie:
Verbundprojektförderung
Fördergegenstand:
Forschung und Entwicklung/Produktinnovationen
Fonds:
EFRE

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