Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.

Steckbrief:

Name des Vorhabens:

Forschungsinfrastruktur für SiC-Halbleiter-Herstellung und -Charakterisierung zur Stärkung Sachsens Leistungselektronikbranche (SaxCrystalPower-Invest)

Zeitraum:

15.05.2024 – 31.08.2026

Förderfähige Gesamtkosten:

2.900.000 €

EU-Betrag:

1.740.000 €

Ort:

Dresden

Interventions­kategorie:

004 - Investitionen in Anlagen, darunter auch Forschungsanlagen, in öffentlichen Forschungszentren und Hochschuleinrichtungen mit direktem Bezug zu Forschungs- und Innovationstätigkeiten

Förderrichtlinie:

02415 - EFRE/JTF RL Forschung InfraProNet 2021-2027 – Teil EFRE

Fördergegenstand:

2227 - Geräteausstattungen, Forschungsinfrastruktur

Spezifisches Ziel:

RSO1.1 - Entwicklung und Ausbau der Forschungs- und Innovationskapazitäten und der Einführung fortschrittlicher Technologien

Zweck und Errungenschaft:

In SaxCrystalPower-INVEST soll eine in-situ 3D TEM-Plattform angeschafft werden, welche in Zusammenspiel mit der PVT-SiC-Einkristallzuchtanlage gewährleisten soll, dass optimierte SiC-Einkristalle für die Anwendung in der zukünftigen Leistungselektronik bereitgestellt werden können. Die Kombination beider Anlagen führt zu einem tieferen Verständnis des Einflusses der SiC-Kristallprozessierung auf die Defekte und damit die Funktionalität der SiC-Leistungselektronik.

Fonds:

EFRE