TU Bergakademie Freiberg

Steckbrief:

Name des Vorhabens:

Entwicklungen von Next-Generation PIN-Dioden auf GaAs Basis

Zeitraum:

23.12.2025 – 30.09.2028

Förderfähige Gesamtkosten:

350.905 €

EU-Betrag:

246.089 €

Ort:

Freiberg

Interventions­kategorie:

146 - Unterstützung für die Anpassung von Arbeitskräften, Unternehmen sowie Unternehmerinnen und Unternehmern an Veränderungen

Förderrichtlinie:

02212 - MINT-Fachkräfteprogramm ESF Plus 2021 bis 2027

Fördergegenstand:

16652 - MINT-Fachkräfteentwicklung

Spezifisches Ziel:

ESO4.4 - Förderung der Anpassung von Arbeitskräften, Unternehmen und Unternehmern an den Wandel, Förderung eines aktiven und gesunden Alterns sowie einer gesunden und angemessenen Arbeitsumgebung, die Gesundheitsrisiken Rechnung trägt;

Zweck und Errungenschaft:

Durch eine umfangreiche Verlustanalyse auf der Ebene der Bauteilsimulation soll die Entwicklung der nächsten Generation der GaAs-basierten PIN-Dioden in Richtung höherer Spannungsklassen erfolgen. Durch die Identifizierung der Verlustmechanismen und Validierung mittels Teststrukturen soll in enger Zusammenarbeit zwischen 3-5 PE und IAP an der Effiziensteigerung der Dioden gearbeitet werden. Die Verbesserungen zielen dabei auf eine Steigerung der Durchbruchsspannung auf bis zu 1500 V, eine Minimierung des Leckstroms und eine Erhöhung der Temperaturstabilität über 150 °C ab. Diese Performancesteigerung wird die Wettbewerbssituation gegenüber SiC- und Si-Bauteilen weiter ausbauen und energieeffizientere Systeme ermöglichen. Dabei bedeuten verringerte Verluste auch immer geringere Abwärmemengen, somit weniger Kühlaufwand und kompaktere sowie insgesamt sparsamere Systeme. Im Rahmen dieser vertieften Kollaboration soll zudem die Qualifizierung der Mitarbeitenden von 3-5 PE und IAP erfolgen, vor allem durch den intensiven Austausch innerhalb der eng vernetzten Arbeitspakete.

Fonds:

ESF