Dresden EFRE

NaMLab gGmbH

Geräteinvestition zur Entwicklung von GaN auf GaN Hoch-Volt- und Hoch-Frequenz-Transistoren (GaNHoch-VFT)

Steckbrief:

Name des Vorhabens:
Geräteinvestition zur Entwicklung von GaN auf GaN Hoch-Volt- und Hoch-Frequenz-Transistoren (GaNHoch-VFT)
Zeitraum:
01.07.2019 – 06.09.2022
Förderfähige Gesamtkosten:
4.079.661 €
Ort:
Dresden
Interventions­kategorie:
Forschungs- und Innovationsinfrastruktur (öffentlich)
Förderrichtlinie:
RL Forschung InfraPro
Fördergegenstand:
Geräteausstattungen, Forschungsinfrastruktur
Fonds:
EFRE

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